坐八年冷板凳，蹚一條創(chuàng)新路
創(chuàng)立一家企業(yè)——對多數(shù)創(chuàng)始人，都是他們?nèi)松母吖鈺r刻。但對市工商聯(lián)青創(chuàng)聯(lián)副會長、中天弘宇集成電路有限責任公司董事長張佳來說，卻是她人生的危機時刻。
“2015年，我作為投資人，投資了存儲器領(lǐng)域。但在實際研發(fā)中，團隊才發(fā)現(xiàn)：最初設計的技術(shù)路線完全沒有可行性；唯一的出路，是全盤推倒重來。2018年，我迫不得已親自接手項目，重新注冊公司?！彼f。
存儲器是手機、電腦等電子設備實現(xiàn)存儲功能的主要部件。技術(shù)壁壘高、研發(fā)周期長、國際競爭激烈，這一領(lǐng)域的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)難度極大。
主流工藝研發(fā)停滯
主流工藝技術(shù)存在瓶頸，是曾經(jīng)作為投資人的張佳看中這一細分領(lǐng)域的重要原因。
張佳說，近年來，隨著消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、智能手機等需求推動，NOR Flash憑借其非易失性、隨機讀取速度快、可靠性高、可執(zhí)行代碼等優(yōu)勢，市場規(guī)模逐年增長。特別是在以智能座艙控制器、5G基站、衛(wèi)星通訊、航空航天、可穿戴設備等為應用場景的大容量產(chǎn)品中，市場規(guī)?？焖俪砷L。
然而，目前NOR Flash主流工藝路線存在技術(shù)瓶頸，受編程原理和單元結(jié)構(gòu)限制，微縮難以推進，長期停留在45納米以及更落后的制程。此外，由于其一段時間以來應用市場遠小于NAND Flash和DRAM，境外公司基本停止了對其主流工藝的研發(fā)。
底層技術(shù)另辟蹊徑
“作為投資人，我們前期做了充分調(diào)研，還請了一些國外專家，設計了一條看似完美的‘天花板’路線?！睆埣颜f，“實際研發(fā)中，浪費了兩年多時間，我們才發(fā)現(xiàn)最初的技術(shù)路線完全沒法落地，走了太多彎路?！?/span>
困境之中，她親自創(chuàng)業(yè)。整個團隊重新思考、重新探索，還聘請多位專家、院士指導，終于找到一條新的出路。
據(jù)介紹，相較于傳統(tǒng)的NOR Flash采用熱電子注入的編程方式，采用新技術(shù)后，產(chǎn)品不僅生產(chǎn)功耗更低，而且存儲容量更大。
在新型存儲器的研發(fā)過程中，張佳和中天弘宇已經(jīng)坐了八年冷板凳。“研發(fā)過程中，有太多未知數(shù)存在，我們真正體會到了科研的艱辛?！彼f。
“最讓我記憶猶新的是2020年1月，在中國電子學會主辦的一場專家鑒定會上，我們的技術(shù)被認定為‘在非易失存儲領(lǐng)域?qū)賴H首創(chuàng)技術(shù)’。”她說。此后，團隊愈發(fā)堅定信心，把新技術(shù)從概念落實到產(chǎn)品，進入了相對健康的良性循環(huán)。
二代產(chǎn)品將轉(zhuǎn)入量產(chǎn)
2021年8月，中天弘宇的初代存儲器發(fā)布會上，中國工程院院士倪光南在視頻致辭中評價：中天弘宇自主研發(fā)的核心技術(shù)在非易失存儲領(lǐng)域?qū)賴H首創(chuàng)技術(shù)。勇于探索、積極進取，發(fā)展核心技術(shù)、底層技術(shù)，并擁有完整的自主知識產(chǎn)權(quán)，難能可貴。
張佳告訴記者，企業(yè)初代產(chǎn)品存儲容量為4Mb—512Mb，目標瞄準現(xiàn)有小容量NOR Flash應用市場，適用于智能家居、智控平臺等場景。目前，部分型號已經(jīng)量產(chǎn)，并取得收入。企業(yè)二代產(chǎn)品采用全新編程原理、工藝技術(shù)，容量為2Gb—8Gb，目前已完成多輪數(shù)據(jù)驗證，預計2Gb產(chǎn)品將于明后年開始從研發(fā)轉(zhuǎn)入小批量量產(chǎn)。
如今，發(fā)明成果已在中國、美國、日本、韓國和中國臺灣地區(qū)申請了成體系的50多項原創(chuàng)性發(fā)明專利。
